搭载两个InGaAs芯片（截止波长：1.65μm, 2.15 μm)近红外图像传感器（0.95μm~2.15 μm)
G12230-512WB是为近红外通道分光测光设计的InGaAs线阵图像传感器。并列配置2个高精度不同遮段波长的InGaAs芯片，实现在光灵敏度波长范围内的高S/N。CMOS芯片内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器。电荷放大器是由铟镓砷二极管阵列的每个像素与CMOS晶体管连接而成。每个像素的信号是在电荷积分模式下读出，因此获得近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。采用气密封装的方式，故而具有优秀的稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级转换效率，以满足不同用途的需求。选择通过使用外部电压2种变化功率（CE:(Conversion Efficiency),选择适合用途的值。
产品特性
● 搭载两个铟镓砷芯片
● 低噪声，低暗电流
● 两种转换率可选
● 抗饱和电路
● CDS电路
● 操作简单（通过内置时序产生器）
● 高分辨率:25μm 间距
| 图像尺寸 | 12.8×0.25 mm |
| 像素尺寸 | 12.8×0.25 mm |
| 像素间距 | 25μm |
| 总像素个数 | 512 pixels |
| 封装 | Metal |
| 帧频 (最大值) | 9150 lines/s |
| 制冷方式 | Two-stage TE-cooled |
| 光谱响应范围 | 950 to 2150nm |
| 测试条件 | Ta=25 ℃, Td=-20℃, Vdd=5 V, INP=Vinp=PDN=4 V, Fvref=1.2V, Vφ=5V, f=1 MHz |
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