| 类型 | Near infrared type (Low bias operation) |
| 感光面积 | φ5 mm |
| 封装 | Metal |
| 封装类型 | TO-8 |
| 峰值灵敏度波长（典型值） | 800 nm |
| 光谱响应范围 | 400 to 1000 nm |
| 灵敏度（典型值） | 0.5 A/W |
| 暗电流（最大值） | 30 nA |
| 截止频率（典型值） | 40 MHz |
| 结电容（典型值） | 95 pF |
| 击穿电压（典型值） | 150 V |
| 击穿电压温度系数（典型值） | 0.65 V/℃ |
| 增益（典型值） | 40 |
| 测试条件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=800 nm, M=1 |
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