S8890-02_Si 雪崩光电二极管_雪崩光电二极管（APD）_光传感器_器件/模块/组件_产品信息_滨松中国

简体中文 English 日语版

首页>产品信息>光传感器>雪崩光电二极管（APD）>Si 雪崩光电二极管>S8890-02

硅APD S8890-02

长波长型APD

产品特性
● 高灵敏度
● 高增益
● 低结电容

点击链接了解【FAQ】Si APD

联系我们 产品资料 [506 KB/PDF]

详细参数光谱响应外形尺寸（单位：mm）相关下载

详细参数

类型	Near infrared type
感光面积	φ0.2 mm
封装	Metal
封装类型	TO-5
峰值灵敏度波长（典型值）	940 nm
光谱响应范围	400 to 1100 nm
暗电流（最大值）	2 nA
截止频率（典型值）	280 MHz
结电容（典型值）	0.2 pF
击穿电压（典型值）	500 V
击穿电压温度系数（典型值）	3.5 V/℃
增益（典型值）	100
测试条件	Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, M=100

光谱响应

外形尺寸（单位：mm）

相关下载

Si APD / Selection guide [3.27 MB/PDF]

Metal, Ceramic, Plastic products / Precautions [187 KB/PDF]

请联系我们获取更多信息

资料索取
价格咨询
产品货期
产品定制
演示申请
样品申请
技术支持
其他

产品的注意事项和要求

通过电话查询

产品信息|应用领域|技术支持|新闻活动|滨松中国

Copyright © Hamamatsu Photonics (China) Co.,Ltd. All Rights Reserved.

京ICP备12001255号京公网安备11010502026391