| 类型 | Near infrared type |
| 感光面积 | φ3 mm |
| 封装 | Metal |
| 封装类型 | TO-8 |
| 峰值灵敏度波长（典型值） | 940 nm |
| 光谱响应范围 | 400 to 1100 nm |
| 灵敏度（典型值） | 70 A/W |
| 暗电流（最大值） | 150 nA |
| 截止频率（典型值） | 220 MHz |
| 结电容（典型值） | 8 pF |
| 击穿电压（典型值） | 500 V |
| 击穿电压温度系数（典型值） | 3.5 V/℃ |
| 增益（典型值） | 100 |
| 测试条件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=940 nm, M=100 |
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