低温度系数，适用于800 nm波段
这是一款800nm近红外波段硅APD，可以工作在很宽的温度范围内。适用于FSO（Free Space Optics，自由空间光学）和光学测距仪等应用中。
产品特性
● 击穿电压的温度系数：0.4 V/℃
● 高速响应
● 高灵敏度和低噪声
点击链接了解【FAQ】Si APD
| 类型 | Near infrared type (Low temperature coefficient) |
| 感光面积 | φ0.2 mm |
| 封装 | Metal |
| 封装类型 | TO-18 |
| 峰值灵敏度波长（典型值） | 800 nm |
| 光谱响应范围 | 400 to 1000 nm |
| 灵敏度（典型值） | 0.5 A/W |
| 暗电流（最大值） | 0.5 nA |
| 截止频率（典型值） | 1000 MHz |
| 结电容（典型值） | 1.5 pF |
| 击穿电压（典型值） | 200 V |
| 击穿电压温度系数（典型值） | 0.4 V/℃ |
| 增益（典型值） | 100 |
| 测试条件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=800 nm, M=1 |
资料索取
价格咨询
产品货期
产品定制
演示申请
样品申请
技术支持
其他
联系我们
通过电话查询