用于X射线无损检测的背照式光电二极管阵列
S11212-021 是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。它比我们之前的S5668系列相比，具有更高的灵敏度均匀性和更小的象元变化。背照型光电二极管阵列操作简单，更便于和闪烁体耦合，由于其背部没有光敏面，也没有焊接线，因此不需要担心对导线的损坏。由于它们的封装尺寸和管脚连接都相同，它可以替代S5668系列。
产品特性
● 板上尺寸：25.4 (W) ×20.0 (H) mm
● 单元尺寸： 1.175 (W) × 2.0 (H) mm/one element
● 象元间距：1.575mm ( × 16 pixels)
● 多阵列，长而窄的设计版式
● 支持双能量成像（上下两层结合使用时）
● 光频响应范围 ：340 to 1100 nm
| 元素大小(每1列) | 1.175 × 2.0 mm |
| 像元个数 | 16 |
| 封装 | Glass epoxy |
| 封装类型 | Unsealed |
| 闪烁体类型 | None |
| 制冷方式 | Non-cooled |
| 反向电压(最大值) | 340 to 1100 nm |
| 光谱响应范围 | 920 nm |
| 峰值灵敏度波长(典型值) | 0.61 A/W |
| 灵敏度 (典型值) | 30 pA |
| 上升时间 (典型值.) | 6.5 μs |
| 结电容(典型值) | 40 pF |
| 注意 | This photodiode array as it is does not function as an X-ray detector. An appropriate scintillator or phosphor sheet should be added at user’s side. |
| 测量条件 | Ta=25 ℃, per element, Photosensitivity: λ=λp, dark current: VR=10 mV, rise time: VR=0 V, terminal capacitance: VR=0 V |
本产品芯片未密封，外露。芯片上的电极等部件没有外壳或窗户保护，因此与普通产品相比，在搬运过程中需要特别严格的保护。
使用本产品前，请务必阅读以下“未密封产品/注意事项”。
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