G11620-256DA_InGaAs图像传感器_图像传感器_光传感器_器件/模块/组件_产品信息

铟镓砷线阵图像传感器 G11620-256DA

线阵（512像素）近红外（0.95 to 1.7 μm）图像传感器

G11620系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。CMOS芯片内部包含电荷放大器、

移位寄存器和时序产生器。与包括两片CMOS信号处理芯片的传统铟镓砷线性图像传感器不同，G11620系

列通过将CMOS芯片与铟镓砷二极管阵列凹凸连接只使用一个CMOS芯片。这种结构降低了奇数像素和偶数

像素间通常存在的视频输出差异。

电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。

每个像素的信号在电荷积分模式下读出，因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。

CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率，以满足不同的应用需要。

产品特性

● 低噪声，低暗电流

● 两种转换率可选

● 高速数据率：最大1 MHz

● 抗饱和电路

● CDS电路

● 内置温度传感器

● 操作简单（通过内置时序产生器）

●高分辨率:25μm 间距

联系我们 产品资料 [288 KB/PDF]

图像尺寸	12.8 x 0.5 mm
像素尺寸	50 x 500 μm
像素间距	50 μm
总像素个数	256 pixels
封装	Ceramic
帧频 (最大值)	17200 lines/s
制冷方式	Non-cooled
光谱响应范围	950 to 1700 nm
测试条件	unless otherwise noted, Typ. Ta=25 ℃,Vdd=5 V,INP,Vinp=PDN=4 V,Fvref=1.2V,Vφ=5V,f=1 MHz

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