硅光电二极管 S11141-10

高灵敏度,直接探测低能量(大于等于1 keV)的电子束


产品特性

● 直接探测低能量(大于等于1 keV)的电子束,灵敏度高
高增益:300倍
高探测效率:72%(入射电子能量:1.5 keV)
大光敏面积:10×10 mm
光敏面中间有直径为2.0 mm的小孔
薄的陶瓷封装
线路板由弱磁性材料制作


点击链接了解【FAQ】 光电二极管(PD)



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详细参数

感光面积 10 x 10 mm
像元个数 1
封装 Ceramic
电子倍增增益(typ) 300
反向电压 (最大值) 20 V
暗电流 (最大值) 60000 pA
结电容(典型值) 450 pF
截至频率(典型值) 2.5 MHz
测量条件 Ta=25 ℃, VR=5 V

注意

本产品芯片未密封,外露。芯片上的电极等部件不受外壳或窗户的保护,因此与普通产品相比,在操作过程中需要特别严格的保护。

在使用本产品之前,请务必阅读以下“未密封产品/注意事项”。


Unsealed products / Precautions [PDF]

外形尺寸(单位:mm)


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