高灵敏度，直接探测低能量（大于等于1 keV）的电子束
产品特性
● 直接探测低能量（大于等于1 keV）的电子束，灵敏度高
● 高增益：300倍
● 高探测效率：72%（入射电子能量：1.5 keV）
● 大光敏面积：14×14 mm
● 光敏面中间有直径为2.0 mm的小孔
● 4象元光电二极管
● 薄的陶瓷封装
● 线路板由弱磁性材料制作
点击链接了解【FAQ】 光电二极管（PD）
| 感光面积 | 14 x 14 mm |
| 像元个数 | 4 |
| 封装 | Ceramic |
| 电子倍增增益(typ) | 300 |
| 反向电压 (最大值) | 20 V |
| 暗电流 (最大值) | 60000 pA |
| 结电容(典型值) | 200 pF |
| 截至频率（典型值） | 5 MHz |
| 测量条件 | Ta=25 ℃, VR=5 V |
本产品芯片未密封，外露。芯片上的电极等部件不受外壳或窗户的保护，因此与普通产品相比，在操作过程中需要特别严格的保护。
在使用本产品之前，请务必阅读以下“未密封产品/注意事项”。
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