线阵（256像素）近红外（0.95 to 1.7 μm）图像传感器
G11135系列是为异物检测设备而设计的铟镓砷线阵图像传感器。该传感器由铟镓砷二极管阵列和CMOS芯片组成，CMOS芯片内部包含电荷放大阵列、偏执补偿电路、移位寄存器和时序产生器。铟镓砷二极管阵列和CMOS芯片由铟球连接。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出，因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率（CE），以满足不同的应用需要。
产品特性
● 线阵（256像素）
● 高速数据率：最大5 MHz
● 两种转换率可选
● 像素尺寸：50 × 50 μm
● 内置温度传感器
● 像素之间的线性度差异小
● 低成本
| 图像尺寸 | 12.8 x 0.025 mm |
| 像素尺寸 | 50 x 50 μm |
| 像素间距 | 50 μm |
| 总像素个数 | 256 |
| 封装 | Ceramic |
| 帧频 (最大值) | 14000 lines/s |
| 制冷方式 | Non-cooled |
| 光谱响应范围 | 950 - 1700 nm |
| 暗电流（典型） | 2.5 pA |
| 测试条件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted |
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