简体中文English日语版
雪崩光电二极管通过施加反向电压产生内部增益，具有比PIN光电二极管更高的信噪比（SNR），更快的时间响应，更高的灵敏度以及更低的暗电流。光谱响应范围通常在200-1150nm之间。
Si 雪崩光电二极管 >
Si 雪崩光电二极管在紫外以及近红外的低光检测中具有高速、高灵敏度的特点。
InGaAs 雪崩光电二极管 >
InGaAs 雪崩光电二极管在近红外的低光检测中具有高灵敏度的特点。
Si 雪崩光电二极管阵列 >
32像元Si 雪崩光电二极管具有低噪声和短波范围高灵敏度的特点。
雪崩光电二极管模块 >
雪崩光电二极管模块内集成了低噪声放大器电路、高压电源和温度补偿电路，实现便捷操作的需求。
产品信息|应用领域|技术支持|新闻活动|滨松中国
Copyright © Hamamatsu Photonics (China) Co.,Ltd. All Rights Reserved.
京ICP备12001255号 京公网安备11010502026391
资料索取
价格咨询
产品货期
产品定制
演示申请
样品申请
技术支持
其他
联系我们
通过电话查询