InGaAs光电二极管主要用于近红外探测,具有高速、高灵敏度、低噪声、宽光谱相应范围(0.5 μm to 2.6 μm)等特点。
InGaAs光电二极管阵列有两种类型:InGaAs线阵光电二极管阵列、InGaAs分段型光电二极管阵列。
InGaAs APDs在高速近红外低光探测中具有高灵敏度。
低成本传感器,产生与入射红外光能量成比例的热电动势。
高速,低噪声红外探测器,能够探测高达约3.5μm的红外光。
热电冷却InSb光电导检测器,能够检测高达约6μm的红外光,具有高灵敏度和高速度。
InAsSb光伏探测器可在5μm,8μm和11μm范围内提供高灵敏度。
高速,低噪声红外探测器,在3 - 5μm的大气环境中具有高灵敏度。在5μm的波段,具有高峰值灵敏度和高响应速度。
具有一个传感器的检测器沿着相同的光轴安装在第二传感器上,以提供宽光谱响应范围。
光牵引探测器灵敏度为10.6μm,非常适合CO2激光探测。
紧凑型探测器模块内含红外探测器和前置放大器。热电和液氮冷却可用于要求低噪音的应用。
主要用于近红外探测。
附件包括:放大器、温度控制器、加热槽。
利用滨松独有的晶体生长技术和加工技术,Ⅱ类超晶格红外探测器的灵敏度可扩展至14μm。
超快中红外光电探测器,响应带宽超过20 GHz。