用于X射线无损检测的背照式光电二极管阵列,适合于平面结构
S13620-02是一款8×8硅光电二极管阵列,具有背照式结构,用于X射线无损检测。背照式光电二极管阵列具有方便操作的特点,因为其在入射表面没有接合线或光敏区域,可以在不用损坏任何线路的情况下贴上一个闪烁体。此外,它的设计优势还在于产品周围不可利用的区域减少,产品耦合空间增大。通道之间没有串扰。
产品特性
● 二维阵列(8×8象元)
● 光谱响应范围:400 ~ 1100 nm
● 包装尺寸:24(W)×24(H)毫米
● 象元节距:3.0 mm×64元素
● 易于与闪烁体耦合:由于光敏区没有导线,且与闪烁体的光耦合效率可以最大化,因此适合于无损x射线检测设备。
元素大小(每1列) | 2.5 × 2.5 mm |
像元个数 | 64 |
封装 | Glass epoxy |
封装类型 | Unsealed |
闪烁体类型 | None |
制冷方式 | Non-cooled |
反向电压(最大值) | 10 V |
光谱响应范围 | 400 to 1100 nm |
峰值灵敏度波长(典型值) | 960 nm |
灵敏度 (典型值) | 0.61 A/W |
暗电流 (最大值) | 300 pA |
上升时间 (典型值.) | 15 μs |
结电容(典型值) | 60 pF |
注意 | These products are also available as scintillator-mounted products (custom order products) such as CsI (Tl), phosphor sheet, GOS, and CWO. Consult with your nearest Hamamatsu sales office. |
测量条件 | Ta=25 ℃, per element, Photosensitivity: λ=920 nm |
本产品芯片未密封,外露。芯片上的电极等部件不受外壳或窗户的保护,因此与普通产品相比,在操作过程中需要特别严格的保护。
在使用本产品之前,请务必阅读以下“未密封产品/注意事项”。