| 类型 | Near infrared type (Low bias operation) |
| 有效光敏面 | φ0.2 mm |
| 封装 | Metal |
| 封装类型 | TO-18 |
| 光谱响应范围(最小值) | 400 to 1000 nm |
| 峰值灵敏度波长(典型值) | 800 nm |
| 灵敏度(典型值) | 0.5 A/W |
| 暗电流 (最大值) | 0.5 nA |
| 截止频率（典型值） | 1000 MHz |
| 结电容 (典型值) | 1 pF |
| 击穿电压（典型值） | 150 V |
| 击穿电压温度系数（典型值） | 0.65 V/℃ |
| 增益 (典型值) | 100 |
| 测试条件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=800 nm, M=1 |
| 类型 | Near infrared type (Low bias operation) |
|---|---|
| 光敏面尺寸 | φ0.2 mm |
| 封装类型 | Metal |
| 封装等级 | TO-18 |
| 峰值灵敏度波长 (典型值) | 800 nm |
| 光谱响应范围 (最小值) | 400 to 1000 nm |
| 暗电流(最大值) | 0.5 nA |
| 截止频率(典型值) | 1000 MHz |
| 结电容 (典型值) | 1 pF |
| 击穿电压 (典型值) | 150 V |
| 击穿电压温度系数 (典型值) | 0.65 V/℃ |
| 增益 (典型值) | 100 |
| 测量条件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=800 nm, M=1 |
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