| 类型 | High-speed type (for 900 nm, Low bias operation) |
| 有效光敏面 | φ0.5 mm |
| 封装 | Metal |
| 封装类型 | TO-18 |
| 光谱响应范围(最小值) | 400 to 1150 nm |
| 峰值灵敏度波长(典型值) | 840 nm |
| 灵敏度(典型值) | 0.52 A/W |
| 暗电流 (最大值) | 2 nA |
| 截止频率（典型值） | 600 MHz |
| 结电容 (典型值) | 1.1 pF |
| 击穿电压（典型值） | 160 V |
| 击穿电压温度系数（典型值） | 1.1 V/℃ |
| 增益 (典型值) | 100 |
| 测试条件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=900 nm, M=1 |
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