近红外传感器（0.9至2.05μm）
G11508 系列是一款InGaAs线性图像传感器，专为近红外多通道分光光度计而设计。 这些线性图像传感器包括InGaAs光电二极管阵列和电荷放大器，偏移补偿电路，移位寄存器和在CMOS芯片上形成的定时发生器。 电荷放大器配置有CMOS晶体管阵列，并被连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。 由于每个像素的信号都是以电荷积分模式读取的，因此这款传感器在近红外区域拥有高灵敏度和稳定的工作状态。 与以前的产品相比，这些传感器在高增益时具有更高的数据速率和更好的线性特性。 封装采用气密密封，可靠性极佳。 CMOS芯片上的信号处理电路能够通过借助外部电压使得从两种可用类型中选择合适的转换效率（CE）成为可能。
产品特性
● 低噪音，低暗电流
●可从两种转换效率类型中选择
● 内置饱和对抗电路
● 内置CDS电路
● 内置热敏电阻
● 操作简便（内置定时发生器）
● 高分辨率：25μm间距
| 图像尺寸 | 12.8 x 0.5 mm |
| 像素尺寸 | 50 x 500 μm |
| 像素间距 | 50 μm |
| 总像素个数 | 256 pixels |
| 封装 | Metal |
| 帧频 (最大值) | 17200 lines/s |
| 制冷方式 | Two-stage TE-cooled |
| 光谱响应范围 | 900 to 1670 nm |
| 暗电流（典型） | 10 pA |
| 测试条件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted Tchip=-20℃ |
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