近红外传感器(0.9到2.15μm)
G11475 - G11478系列是一种用于近红外多通道分光光度法的InGaAs线性图像传感器。这些线性图像传感器由InGaAs光电二极管阵列和电荷放大器、偏移补偿电路、移位寄存器和CMOS芯片上形成的定时发生器组成。电荷放大器配置有CMOS晶体管阵列，并连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。由于每个像素的信号都是在电荷集成模式下读取的，因此在近红外区域具有较高的灵敏度和稳定性。这些传感器具有更高的数据速率和更好的线性特性在高增益比以往的产品。该包装是密封的，提供了优良的可靠性。CMOS芯片上的信号处理电路可以使用外部电压从两种类型中选择转换效率(CE)。
产品特性
● 低噪音，低暗电流
● 可从两种转换效率类型中选择
● 内置饱和对策电路
● 内置cd电路
● 操作简单(内置定时发生器)
| 图像尺寸 | 12.8 x 0.25 mm |
| 像素尺寸 | 50 x 250 μm |
| 像素间距 | 50 μm |
| 总像素个数 | 256 pixels |
| 封装 | Metal |
| 帧频 (最大值) | 17200 lines/s |
| 制冷方式 | Two-stage TE-cooled |
| 光谱响应范围 | 900 to 2150 nm |
| 暗电流（典型） | 50 pA |
| 测试条件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted,Tchip=-20℃ |
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