| 类型 | High-speed type (for 800 nm, Low bias operation) |
| 有效光敏面 | φ0.2 mm |
| 封装 | Plastic |
| 封装类型 | Surface mount type |
| 光谱响应范围 | 400 to 1000 nm |
| 峰值灵敏度波长(典型值) | 800 nm |
| 灵敏度(典型值) | 0.52 A/W |
| 暗电流 (最大值) | 0.3 nA |
| 截止频率（典型值） | 1200 MHz |
| 结电容 (典型值) | 0.6 pF |
| 击穿电压（典型值） | 160 V |
| 击穿电压温度系数（典型值） | 0.63 V/℃ |
| 增益 (典型值) | 100 |
| 测试条件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=800 nm, M=1 |
● 封装紧凑：3.1×1.8×1.0t mm
● 峰值灵敏度波长：800 nm（M = 100）
● 低偏置操作：击穿电压=最大180 V.
● 高速响应：截止频率= 1.2 GHz（典型值）。 （λ= 800 nm，M = 100）
● 降低击穿电压变化：160±20 V
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