高速，紧凑的Si APD，适用于800 nm波段，具有低偏置操作
该款Si APD适用于检测900 nm波段的光，适用于光学测距。 该产品与上一代产品（S10341系列）具有相同的形状，但是性能上有更大的提升，击穿电压变化小，暗电流降低以及存储能力宽展和工作温度稳定。
产品特性
● 小型封装：3.1 × 1.8 × 1.0t mm
● 峰值灵敏度波长：800 nm (M=100)
● 低偏置操作:击穿电压= 180 V max.
● 高速响应:截止频率=1.2 GHz typ. (λ=800 nm, M=100)
● 击穿电压变化减小:160±20 V
点击链接了解【FAQ】Si APD
| 类型 | High-speed type (for 800 nm, Low bias operation) |
| 感光面积 | φ0.2 mm |
| 封装 | Plastic |
| 封装类型 | Surface mount type |
| 峰值灵敏度波长（典型值） | 800 nm |
| 光谱响应范围 | 400 to 1000 nm |
| 灵敏度（典型值） | 0.52 A/W |
| 暗电流（最大值） | 0.3 nA |
| 截止频率（典型值） | 1200 MHz |
| 结电容（典型值） | 0.6 pF |
| 击穿电压（典型值） | 160 V |
| 击穿电压温度系数（典型值） | 0.63 V/℃ |
| 增益（典型值） | 100 |
| 测试条件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=800 nm, M=1 |
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