iPHEMOS-DD倒置微光显微镜是一款半导体失效分析系统，通过检测半导体装置缺陷引起的微弱的光发射和热发射来准确定位半导体器件的失效位置。利用其独特的倒置型设计，能够便捷地进行样品backside观察与分析，将样品直接连接到测试机上，再把测试机架装到设备上方能够有效减少线缆长度，这使得高频驱动样品的分析成为可能，这种直接架装方式可用于点针侦测12英寸wafer，也可用来侦测封装好的样品。
| 供电电压 | AC 200 V (50 Hz/60 Hz) |
| 功耗 | Approx. 1400 VA (Max. 3300 VA) |
| 真空需求 | Approx. 80 kPa or more |
| 压缩空气需求 | 0.5 MPa to 0.7 MPa |
| 尺寸/重量 | Main unit: 1980 mm (W)×1270 mm (D)×834 mm (H), Approx. 1700 kg Control rack: 880 mm (W)×700 mm (D)×1842 mm (H), Approx. 300 kg Optional desk: 1400 mm (W)×800 mm (D)×700 mm (H), Approx. 60 kg |
● 同时最多加装两台高灵敏度相机，能够同时完成光发射和热发射侦测
● 设备可以加载多种激光
● 镜头切换转塔最多可以加装10种不同镜头
● 激光扫描系统
● 高灵敏度近红外相机进行光发射分析
（根据客户样品特点对不同波长范围的光发射探测可以选配不同型号相机，InGaAs, C-CCD, Si-CCD, Emmi-X）
● 高灵敏度中红外Thermal相机进行热分析
● 激光诱导阻值变化分析（OBIRCH）
● D-lock in
● Thermal Lock in
● EOP/EOFM
● Tilt Stage
● Nano Lens 进行高分辨率、高灵敏度分析
● Navigation功能
● 连接测试机进行动态分析
● Laser Marker
iPHEMOS series Inverted Emission Microscope C10506-06-16 [1016 KB/PDF]
Failure Analysis Systems Option: InSbHS camera C9985-05 [668 KB/PDF]
Failure Analysis Systems Option: Thermal NanoLens [351 KB/PDF]
Failure Analysis Systems Option: NanoLens-SHR [635 KB/PDF]
Failure Analysis Systems Option: Electro Optical Probing Unit C10506-04-16 [406 KB/PDF]
Failure analysis system:Technical Note SI-CCD CAMERA [266 KB/PDF]
Failure analysis system:Technical Note Dynamic Analysis by Laser Stimulation (DALS) [321 KB/PDF]
Failure analysis system:Technical Note Digital lock-in kit M10383 [326 KB/PDF]
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