高速，紧凑的Si APD，适用于800 nm波段，具有低偏置操作
该款Si APD适用于检测800 nm波段的光，适用于光学测距。 该产品与上一代产品（S10341系列）具有相同的形状，但是性能上有更大的提升，击穿电压变化小，暗电流降低以及存储能力宽展和工作温度稳定。
产品特性
● 小型封装：3.1 × 1.8 × 1.0t mm
● 峰值灵敏度波长：800 nm (M=100)
● 低偏置操作:击穿电压= 128V max.
● 高速响应:截止频率=1 GHz typ。(λ= 800 nm,M = 100)
● 击穿电压变化减小:160±20 V
| 类型 | High-speed type (for 800 nm, Low bias operation) |
| 有效光敏面 | φ0.5 mm |
| 封装 | Plastic |
| 封装类型 | Surface mount type |
| 光谱响应范围(最小值) | 400 to 1000 nm |
| 峰值灵敏度波长(典型值) | 800 nm |
| 灵敏度(典型值) | 0.52 A/W |
| 暗电流 (最大值) | 0.5 nA |
| 截止频率（典型值） | 1000 MHz |
| 结电容 (典型值) | 1.6 pF |
| 击穿电压（典型值） | 160 V |
| 击穿电压温度系数（典型值） | 0.63 V/℃ |
| 增益 (典型值) | 100 |
| 测试条件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=800 nm, M=1 |
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