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首页>产品信息>光传感器>距离&位置传感器>LiDAR传感器>G14858-0020AA
InGaAs APD G14858-0020AA

InGaAs APD可大大降低暗电流

该款InGaAs APD（雪崩光电二极管）通过使用新的器件结构和加工处理流程，和现有产品相比，大幅度降低了暗电流。 G14858-0020AA可以用于距离测量，微弱光检测等。



产品特性

● 低暗电流

● 低电容

● 高灵敏度


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详细参数 光谱响应 外形尺寸（单位：mm）

详细参数

有效光敏面 φ0.2 mm
封装 Metal
封装类型 TO-18
通道数 1
光谱响应范围 950 to 1700 nm
峰值灵敏度波长(典型值) 1550 nm
灵敏度(典型值) 0.8 A/W
暗电流 (最大值) 50 nA
截止频率（典型值） 900 MHz
结电容 (典型值) 2 pF
击穿电压（典型值） 65 V
击穿电压温度系数（典型值） 0.1 V/℃
测试条件 Ta=25℃, Photosensitivity: λ=1.55 μm, M=1

光谱响应

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外形尺寸（单位：mm）

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