关键词:量子点
拍摄条件:InAs/GaAs自主装半导体量子点,温度6 K,发光波长900 nm,曝光时间100/10 ms
通过实验室自主搭建的低温共聚焦成像系统,对发光波长在900 nm的InAs/GaAs自主装半导体量子点进行带上激发&成像,分别让EMCCD和 Hamamatsu qCMOS相机在各自高信噪比模式和高帧速模式下,对客户所关心的量子点单光子源的成像品质和成像耗时进行对比。
对于高帧速下的成像耗时,qCMOS相机比EMCCD有明显优势,qCMOS相机可以在10 ms曝光时间下,对量子点进行高速寻址而EMCCD无法做到,满足了客户对高帧速采集单光子需求。总的来说qCMOS相机有分辨率、帧率兼信噪比高的特性,产品具有较高的参数指标,在短曝光时间时相比于EMCCD有较明显优势。
以下视频可以体现相机优势,由于视频传输有压缩操作,在实际实验场景下,成像果会更加明显。
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