Si PD彩页参数全解析（二）
参数介绍
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表1 Si PD参数表
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Parameter
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名称
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介绍
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Window material
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入射窗材料
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① Quartz，石英;
② Resin potting，填充树脂；
③ Unsealed，无封装，芯片表面无保护；
④ Borosilicate，硼硅玻璃；
⑤ Glass epoxy，环氧树脂。
不同封装材料影响器件价格，透过率。
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Precautions against UV
light exposure
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紫外线照射注意事项
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当应用紫外线照射时，产品特性可能会退化。包括产品的UV敏感性的降低和暗电流的增加。UV光暴露会由于粘接产品组份材料的树脂释放的气体而导致特性降解。因此，我们建议您避免将紫外线直接照射在树脂上，而只使用光阑或类似的方法将紫外线照射在感光区域的内部。
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Package
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封装尺寸
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封装尺寸
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Photosensitive area size
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光敏面尺寸
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Si芯片尺寸，实际感光部分
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Effective photo-
sensitive area
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有效光敏面积
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Si 芯片有效光敏面
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Absolute maximum ratings
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绝对最大额定值
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① Reverse Voltage VR，最大反向电压，如不能超过5 V，反向电压可设置为0-5 V之间；
② Operating temperature，工作温度范围，如PD只能在-20至60 ℃工作；
③ Storage temperature，储藏温度范围，如PD只能在-20至80 ℃内储存；
注意：超过绝对最大额定值，即使是瞬间也可能导致产品质量下降。始终确保在绝对最大额定值内使用产品。
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不同的波长下的灵敏度，该数据为典型值，并非实际值，实际值需通过计量机构进行标定。
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在正常工作温度范围内，Si PD在可见光波段的灵敏度基本不随温度而改变。以S1337为例，300 nm~900 nm波段温度系数变化百分比非常之小，可以认为基本没有影响。在900 nm之后，光灵敏度受温度影响，如果测量的是长波段，1100 nm下，温度每升高一度，灵敏度变大1.1%左右。1040 nm下，温度每升高一度，灵敏度变大0.5%左右。
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左图为在25℃下，暗电流随反向电压的变化，右图为在25℃下，终端电容随反向电压的变化。通常暗电流随反向电压的增加而增加，随面积的增加而增加，终端电容随反向电压的增加而降低，随面积的增加而增加，增加反向电压可以提高线性上限，降低终端电容，提高响应速度，但暗电流会增加。
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产品手册结构图，从上到下分别是俯视图，正视图，底视图。
Anode terminal mark，阳极端子标记，滨松手册通常都有一个比较细节的阳极标识或①脚标识，有的型号可能需要仔细观察。如左上所示，②号引脚为阴极，①号引脚为阳极。
右图中的NC，指的是Non connect，无需进行电气连接，空焊盘焊接固定即可。
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相对灵敏度随角度的变化，如卤钨灯光垂直于芯片表面，此时灵敏度为100%，转动芯片角度，如45°，则相对灵敏度约为78%，转动90°，则相对灵敏度为0%。
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测试条件：入射光波长660 nm，温度25 ℃，反向电压2.5 V，负载电阻50Ω的条件下测试频率特性。
定义：-3dB表示在该频率下，光信号功率下降为原来的一半。该频率通常定义为截止频率。
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