Si APD彩页参数解析（二）_滨松光子学商贸(中国)有限公司

参数介绍

# 结构/最大额定值

表1 Si APD参数表

Parameter	名称	介绍
Window material	入射窗材料	① Quartz，石英; ② Resin potting，填充树脂； ③ Unsealed，无封装，芯片表面无保护； ④ Borosilicate，硼硅玻璃； ⑤ Glass epoxy，环氧树脂； ⑥ lens type borosilicate glass，玻璃透镜，可聚光。不同封装材料影响器件价格，透过率。
Package	封装	封装尺寸
Effective photosensitive area size	有效光敏面积	Si芯片有效光敏面，如ϕ0.2 mm表示直径0.2 mm
Photosensitive area in which a typical gain can be obtained	可获得典型增益的光敏区域	APD增益受内部电场影响，通常边缘的电场相较于中间低。
No dew condensation	不结露条件下	在高湿环境中，当产品与周围环境存在温差时，产品表面可能会结露。产品上的结露可能导致特性和可靠性的恶化。
Absolute maximum ratings	绝对最大额定值	① Operating temperature，工作温度范围，如PD只能在-20至85 ℃工作； ② Storage temperature，储藏温度范围，如PD只能在-55至125 ℃内储存。注意：超过绝对最大额定值，即使是瞬间也可能导致产品质量下降。始终确保在绝对最大额定值内使用产品。
Soldering conditions	焊接条件	260 °C or less， within 10 s，260 ℃以下，10 s内。在距离金属封装体至少1mm处焊接引线。

# 光谱特性

左图为温度25 ℃，不同的波长下的光灵敏度，该数据为典型值，并非实际值，实际值需通过计量机构进行标定。右图为温度 25℃，不同的波长下的量子效率，量子效率评估探测器对光子转换成光电子的概率。

# 暗电流/终端电容随反向电压的变化

左图为在25 ℃下，暗电流随反向电压的变化，右图为在25 ℃下，终端电容随反向电压的变化。通常暗电流随反向电压的增加而增加，随面积的增加而增加，终端电容随反向电压的增加而降低，随面积的增加而增加，增加反向电压可以降低终端电容，提高响应速度，但暗电流会增加。

# 增益随反向电压的变化

在800 nm，不同的温度条件下，增益随反向电压的升高而升高。相同条件下，增益随温度的升高而降低。

# 过剩噪声因子随增益的变化

过剩噪声系数和增益相关，受波长和APD结构影响，并近似看出过剩噪声系数和增益是指数关系，因此，引入过剩噪声指数（X），过剩噪声系数（F）近似表达为：F=M_X

# 外形尺寸

产品手册结构图，从上到下分别是俯视图，正视图，底视图。
滨松手册通常都有一个比较细节的阳极标识或①脚标识，有的型号可能需要仔细观察。
如左上所示，③号引脚为阴极，②号脚连接金属外壳，①号引脚为阳极。金属外壳一般接地，用于屏蔽电磁干扰。

# 制冷特性

在25 ℃条件下，使用3 ℃/W热阻的热沉，器件温度随TEC制冷器电流的变化曲线。 TEC制冷器电流随电压的曲线。

# 热敏电阻温度特性

热敏电阻阻值随器件温度的变化，用于反馈TEC制冷温度。

# 相关产品


TE-cooler allowable Current ITE max.	TE制冷器最大允许电流	如不得超过1.5 A电流使用
TE-cooler allowable Voltage VTE max	TE制冷器最大允许电压	如不得超过1 V电压使用
Thermistor resistance Rth	热敏电阻值	用于测量TEC制冷器的温度
Thermistor power Dissipation Pd_th max	热敏电阻最大功耗	流过热敏电阻的电流乘热敏电阻两端的电压，如不超过0.2 mW

	APD基本知识
	本文件介绍了APD的基础知识等内容。

	表面封装产品手册（英文原版）
	本文件介绍了使用表面封装产品的一般注意事项内容。

	光半导体一般预防措施（英文原版）
	本文件介绍了光半导体的一般预防措施，与注意事项等内容。