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【FAQ】APD

APD可以按照击穿电压分类吗?


硅APD的输出线性度(输出电流vs光亮度)上限怎么样?


APD的倍增系数(增益)的定义是什么?


为什么低偏压和低温度系数型的近红外硅APD有不同的工作低温极限?


APD与光电倍增管有什么不一样?


当温度变化时,怎样才能保持恒定的增益?


硅APD与PIN光电二极管有什么区别?


APD可以有较大的光敏区域吗?


有哪几种类型的APD阵列器件?


APD可以探测到那种等级微弱的光?



PQ001:APD可以按照击穿电压分类吗?


S12023-02/-05/-10/-10A,S12086以及S3884近红外型APD(低偏置电压工作)属于标准产品,可分为三种电压等级:80-120V,120-160V,160-200V


PQ002:硅APD的输出线性度(输出电流vs光亮度)上限怎么样?


线性度在输出电流为大约几百微安时会恶化。

PQ003:APD的倍增系数(增益)的定义是什么?


APD的增益是高偏置电压下的(倍增后的)光电流与无偏置电压下(无倍增的)光电流之比。

PQ004:为什么低偏压和低温度系数型的近红外硅APD有不同的工作低温极限?


低偏压型和低温度系数型使用相同的封装。但是,由于低偏压工作型有较大的温度系数,在低温下工作时电容变得很大引起响应速度的变慢,因此工作低温的极限是-20℃。

PQ005:APD与光电倍增管有什么不一样?


APD是半导体器件,与光电倍增管相比有更高的量子效率。APD可以被做成很小的尺寸,不易受磁场的影响,并且具有较宽的动态范围。但是,APD有一些劣势,比如较大的噪声,较低的倍增因子,因此当探测极弱的光,光电倍增管有很大的优势。

PQ006:当温度变化时,怎样才能保持恒定的增益?


正常的技术是控制PN结的正向电压或者使用一个热敏电阻来探测温度浮动。然后将反馈应用于APD偏压来保证一个增益常数。

PQ007:硅APD与PIN光电二极管有什么区别?


PIN光电二极管的探测下限由负载电阻热噪声和放大噪声决定。APD有一个内增益系数,可以将信号放大到很大级别而超过热噪声,可以用来高速和低噪声光探测。

PQ008:APD可以有较大的光敏区域吗?


为了制作大区域的硅APD,需要有一些特殊的处理技术来获得统一的增益系数。目前,光敏区达到10×10 mm(S8664-1010)。

PQ009:有哪几种类型的APD阵列器件?


我们处理的APD订单需要特殊的光敏区域尺寸、轮廓、增益变化和象元间隙等等。作为标准产品,我们提供S8550-02(4×8象元阵列)等产品。

PQ0010:APD可以探测到那种等级微弱的光?


S2381型近红外APD(低偏压工作)的典型NEP(噪声等效功率)大概为5×10-16W/Hz1/2。

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